薄膜工艺工程师的个人简历范文，仅供写作时参考。
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姓 名：xxx |
性 别：男 |
(可以贴照片) |
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出生日期： |
学 历：大专 | |
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毕业院校：兰州大学 |
专 业：半导体器件与微电子 | |
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工作经验：三年以上 |
职 称：助理工程师 | |
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申请职位：薄膜工艺工程师 研发工程师 | ||
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联系方式： 15900000000 (手机) www.geren-jianli.org(邮件 & MSN) | ||
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求职意向： 薄膜工艺工程师 研发工程师 求职地点： 无锡 南京 苏州 工作经验：三年以上 工资要求：3500以上 工作性质：全职 |
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2000.9--2004.7兰州大学 半导体器件与微电子学 本科 2000年9月至2004年7月 就读于兰州大学物理与科学技术学院微电子学专业 2006.5--2006.7 培训单位： 天合半导体公司 培训内容：iso9001认证 200.4—2005--6 培训单位：核芯电子公司 培训内容：5s现场管理 |
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2004年07月— 2007年03月 ： 天水天光半导体公司(原国营八七一厂) 【单位性质】：合资 【所任职位】： 工程部/工艺工程师 【职责描述】：2004年07月－－2007年4月担任天水天光半导体有限公司（国营八七一厂）工艺工程师兼新产品工艺设计工程师.主要负责varian3180、3120溅射台，mark50蒸发台，varian3125蒸发台，ebx2000蒸发台等的工艺改进及保障工作和新产品的开发和工艺、版图设计，并熟练掌握肖特基生产线薄膜制备工艺。2006年4月-6月改进了varian3180溅射台溅射工艺，使该企业肖特基产品成品率提高了9.6个百分点，目前该设备已生产肖特基产品40000多片，并保持稳定运行。2006年8月-10月改进了肖特基产品合金工艺，提高了芯片均匀性。 |
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2005.11—2006.3:开发低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）开关二极管 项目描述：开发了低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）开关二极管，经日本专家鉴定，比日本tikoen公司相同产品正向电压还要低0.3v，目前已为天水天光半导体公司获利100多万元。 200.5--2005.10:开发大电流高电压肖特基二极管 项目描述：开发了大电流、高电压肖特基 责任描述：负责项目请示，提交项目建议书，项目可行性分析和项目前期调研，撰写项目可行性报告和调研报告；制定项目实施方案，填写项目申报书并负责项目申报工作。负责与企业客户的沟通，了解并分析客户需求，制定项目合作方案；并根据项目需求，组建项目团队和项目技术主要负责人.并负责与日本专家的技术交流与沟通． 2005.10—2006.5:开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品 项目描述：参与开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品，扭转了该企业产品单一化的局面。 责任描述：负责上述产品的金属薄膜制备，产品测试及工艺设计． |
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熟练掌握varian3180、3120溅射台，mark50蒸发台，varian3125蒸发台，ebx2000蒸发台等的设备运行状态和工艺参数，并熟练掌握肖特基生产线扩散、光刻腐蚀、金属化等工艺。 熟悉新产品开发流程及工艺设计。 专业软件： l-edit |
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乐观向上、兴趣广泛、稳重沉着、适应力强、勤奋好学、脚踏实地、认真负责、坚忍不拔、勇于迎接新挑战、具有较强的团队合作精神。 |